其他
3nm后的选择
二维材料有望变革传统集成电路架构
英特尔-- MoS₂解决传统硅芯片的物理限制
台积电--- MoS2结合铋实现极低接触电阻
三星--发现新材料“非晶态氮化硼”
欧盟----致力二维材料研发
北京大学—实现2英寸单层单晶WS2的外延制备
南京大学----实现2英寸MoS2单晶薄膜外延生长
晶体管结构新变革
GAA
VTFET
CasFET
下一代EUV光刻机也要做好准备
High-NA EUV
EUV 光刻胶
新掩膜类型
写在最后
*免责声明:本文由作者原创。文章内容系作者个人观点,半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点,不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持,如果有任何异议,欢迎联系半导体行业观察。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第2902内容,欢迎关注。
推荐阅读
半导体行业观察
『半导体第一垂直媒体』
实时 专业 原创 深度
识别二维码,回复下方关键词,阅读更多
晶圆|集成电路|设备|汽车芯片|存储|台积电|AI|封装
回复 投稿,看《如何成为“半导体行业观察”的一员 》
回复 搜索,还能轻松找到其他你感兴趣的文章!